송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 예정 파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터 센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로 글로벌 유일하게 3개 소자를 다룬다. 최근엔 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 특히 이번 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례다. 파워큐브세미 경신수 CTO는 “기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다”고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 2023년 12월
MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성 유지해 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높인다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘린다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와
세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진 영향 받아 DB하이텍은 5일 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 2663억 원으로 전년보다 65.36% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 1조1578억 원으로 전년 대비 30.89% 감소했으며, 영업이익률은 23% 수준이다. 순이익은 2448억 원으로 56.2% 줄었다. 작년 4분기 영업이익은 431억 원으로 전년 동기보다 71.97% 줄었다. 매출과 순이익은 각각 28.73%, 47.88% 감소한 2830억 원과 356억 원이었다. 세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년보다 실적이 하락했다. 회사 측은 "전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고 차세대 전력반도체로 주목받는 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 헬로티 서재창 기자 |
캐나다 전 지역 비즈니스 확대 추진 본격화 내년 상반기 美로 시장 진출 목표...친환경 에너지 분야 ‘도전장’ 전력반도체 업체 파워큐브세미가 캐나다 전자부품 업체 시그마 컴포넌트(Sigma Component Design Ltd)와 협력체계를 구축해 북미 시장 공략에 첫발을 뗐다. 파워큐브세미는 실리콘 및 실리콘카바이드(SiC) 소자를 개발·생산하는 업체다. 최근 산화갈륨(Ga2O3) 전력반도체 시장 선점을 목표로 산화갈륨 전용 팹을 신설했다. 이는 국내 차세대 화합물 전력반도체 소자 개발 및 생태계 구축에 주력하고 있는 모습이다. 이번 양사의 파트너십은 파워큐브세미의 북미 시장 공략에 초석이 될 전망이다. 양사는 그 시작으로 캐나다 전 지역의 비즈니스 확대를 추진하기로 했다. 현재 전기차 충전기에 탑재되는 고성능 전력반도체 부품인 슈퍼정션 모스펫(SJ MOSFET) 및 실리콘카바이드 모스펫(SiC MOSFET) 샘플을 제출해 제품 승인을 기다리고 있다. 여기에 캐나다 스노우모빌 제조업체의 온보드 차저(OBC), Low DC-DC Converter(LDC) 등 전력 모듈 공급 수주를 따내 전력 모듈 사업화 기반을 마련했다. 파워큐브세미는 이를 발판으로 내년 상
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
보그워너가 북미 주요 OEM 업체의 프리미엄 승용차 배터리 전기차(BEV) 플랫폼에 적용될 양방향 800볼트(V) 온보드 차저(OBC)를 공급하는 계약을 체결했다고 15일 밝혔다. 보그워너의 기술은 실리콘 카바이드(SiC) 전력 스위치를 사용해 효율성을 개선하고 최적화된 전력 밀도 및 전력 변환을 제공하며 안전 규정을 준수한다. OBC의 생산은 2027년 1월에 시작될 것으로 예상된다. 보그워너 부회장 겸 파워드라이브 시스템 사장 겸 총괄 책임자인 스테판 데멀레는 "이번 계약은 해당 OEM 업체와 체결한 첫 OBC계약이자 북미에서 체결한 첫 OBC계약으로, 보그워너 팀에게 큰 성과"라고 전했다. 이어 "보그워너는 세계적 수준의 파워 일렉트로닉 전문성과 800V 및 실리콘 카바이드 기술에 대한 시장 선도적 지위를 통해 충전 기능을 극대화하고 전력 밀도를 확장하며 효율성을 향상시키는 동시에 다양한 지역의 전력 그리드 구성을 지원하는 솔루션을 제공하고 있다"고 말했다. 보그워너의 OBC 기술은 전기차에 탑재돼 전력망의 교류(Alternating Current, AC)를 직류(Direct Current, DC)로 변환, 배터리를 충전한다. OBC는 19.2킬로와트(
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
온세미가 올해 3분기 자동차 부문에서 전년 동기 대비 33% 증가한 12억 달러 매출을 달성했다. 온세미는 2023년 3분기 매출이 21억 8080만 달러를 달성했다고 밝혔다. 일반회계기준(GAAP) 및 비일반회계기준(non-CAAP) 총이익은 47.3%, 영업이익이 일반회계기준 및 비일반회계기준으로 각각 31.5%와 32.6%를 기록했다. 일반회계기준 희석주당이익은 1.29 달러, 비일반회계기준 희석주당이익은 1.39 달러를 기록했다. 산업 부문에서 약 6억 1600만 달러 매출 달성한 것으로 나타났다. 전년 동기 대비 소폭 증가한 수치다. 하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “시장 침체 속에서도 온세미의 회복력을 입증했다”며, “온세미는 구조적 개선과 효율성을 지속적으로 추진하고 있으며, 특히 한국에서 150mm와 200mm 웨이퍼를 위한 세계 최대 규모의 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 팹 증설 등 SiC 사업에서 큰 성과를 거뒀다"고 말했다. 헬로티 이동재 기자 |
150mm 웨이퍼 시작으로 2025년 200mm SiC 공정 인증 후 200mm 전환 예정 온세미가 24일인 오늘 경기도 부천시에 대규모의 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 제조 시설인 'S5'를 완공했다고 발표했다. 해당 시설은 풀가동 시 연간 100만 이상의 200mm SiC 웨이퍼를 제조할 것으로 예상된다. 온세미는 SiC 제조 능력 향상을 위해 향후 3년간 최대 1000여명의 국내 직원을 채용해 고도의 기술직에 대부분 충원할 계획이다. 이는 현재 약 2300명의 인력보다 40% 이상 증가한 수치다. SiC 디바이스는 전기차(EV), 에너지 인프라, 고전력 전기차 충전기의 전력 변환에 필수 부품이다. 이에 대한 수요가 급격히 증가하면서 SiC 칩에 대한 수요가 급증하며, 당분간 수요가 공급을 넘을 것으로 예상된다. 온세미는 부천 팹 증설을 통해 추가 생산 능력에 대한 시급한 수요를 해결해 고객에게 지속적인 공급을 보장하고 지능형 전력 솔루션 분야의 리더십을 강화한다. S5는 2022년 7월 중반에 시작해 지난 9월에 완공됐다. 이 기간동안 새로운 첨단 150mm·200mm SiC 팹 라인의 건설과 동시에 첨단 유틸리티 건물, 인접 주차 건물 건설까지 완료
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
보그워너(BorgWarner)가 'IAA 모빌리티 2023'에서 자동차 제조업체들의 전기화 전환을 지원하는 혁신적인 제품 포트폴리오를 선보인다고 23일 밝혔다. 오는 9월 5일부터 8일까지 독일 뮌헨에서 열리는 이번 전시회에서 보그워너는 전략적 목표 달성 및 e모빌리티로의 전환을 위한 효율적인 기술 솔루션의 지속적인 발전을 강조할 예정이다. 또한 보그워너의 새로운 브랜드 이미지를 보다 많은 이들에게 선보이는 자리가 될 것이라고 회사 측은 전했다. 프레데릭 리살데 보그워너 회장 겸 CEO는 "보그워너는 새로운 로고와 함께 모빌리티의 전기화 및 전 세계 이산화탄소 배출 감소를 위한 전략에 더욱 집중하는 새로운 기업 정체성의 시기로 접어들고 있다"고 말했다. 이어 "보그워너는 'Charging Forward(미래를 향한 발걸음)' 전략에 큰 발전을 이뤘으며, 6월에 개최된 '투자자의 날'에서 새롭게 업데이트된 Charging Forward 2027 전략을 공개했다"고 설명했다. 보그워너는 부스에서 최신 실리콘 카바이드(SiC) 인버터 제품을 전시하며, 800V 시스템의 글로벌 시장 선두 업체 중 하나로 입지를 강화하고 있다. 특허받은 바이퍼(Viper) 모듈이 탑
총 282억원 규모 산업부 산업혁신기반구축 공모사업 선정…2025년 완공 목표 차세대 전력반도체 기술 개발부터 기업 지원 및 사업화까지 전주기 실증 지원 한국전기연구원(KERI), 경상남도, 부산광역시, 김해시, 경남테크노파크, 부산테크노파크, 동의대학교 산학협력단 등 동남권 전력반도체 산업 육성 및 발전을 위해 모인 연합팀이 산업통상자원부(이하 산업부)가 공모한 ‘2023년 산업혁신기반구축 사업’ 대상자로 선정됐다. 해당 사업은 화합물반도체 기반 차세대 고효율 전력반도체 산업의 ‘전주기 실증 지원 인프라’ 구축을 통해 국내 기업들의 기술 개발 및 사업화 등 각종 업무를 직·간접적으로 지원하는 사업으로, 사업 기간은 올해 7월부터 2027년 12월까지(4년 6개월)이며 총사업비는 약 282억 원(국비 100억, 지방비·현물 182억)이다. 최근 대부분의 일상에서 전기가 중심이 되는 '전기화(Electrification)’ 시대가 가속화되고 있는 만큼 전력반도체의 중요성도 커지고 있다. 전력반도체는 전력이 필요한 곳이면 필수적으로 활용되는 산업의 중요 부품으로, 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 등 사람의 몸으로 치면 근육과도 같은 역할을 한다. 이
온세미 1200V와 750V 전력 디바이스를 보그워너 VIPER 전력 모듈에 통합 온세미는 보그워너(BorgWarner)와의 실리콘 카바이드(SiC)에 대한 전략적 협력 관계를 확대해 10억 달러 이상의 생애 가치로 장기계약을 체결했다고 발표했다. 보그워너는 지속 가능한 모빌리티 솔루션을 제공하는 글로벌 제품 기업으로, 온세미의 1200V와 750V 전력 디바이스를 자사의 VIPER 전력 모듈에 통합할 계획이다. 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 디바이스는 양사의 오랜 전략적 관계의 일부인 온세미 제품의 포트폴리오에 합류한다. 온세미는 전기차 트랙션 시장에 필요한 높은 수준의 품질, 신뢰성, 공급 보증을 유지하면서 고성능 EliteSiC 기술을 제공한다. 온세미는 전력 반도체 제품 설계, 개발, 제조 분야에서 쌓아온 수십 년간의 경험으로 대량의 오토모티브 애플리케이션에 성공적으로 채택되도록 지원할 계획이다. 보그워너 부사장이자 파워드라이브 시스템즈 사장 겸 총괄인 스테판 데머를(Stefan Demmerle)은 "온세미는 엔드 투 엔드 공급망 전반에 걸쳐 SiC 제조 역량을 강화하기 위해 지속적이고 전략적인 투자를 한다. 이는 우리가 현재와 앞으로
김용춘 지사장, 전자부품 분야 투자 및 고객지향적 전기차 충전 인프라 강조 코로나19 팬데믹부터 미중 패권전쟁, 러우 전쟁 등 연속적인 이슈를 맞닥뜨린 세계정세는 대부분 산업 분야 공급망에 유례없는 블랙홀이 발생하게 했다. 이에 산업계에서는 너나 할 것 없이 자재·부품·원료 등을 선점하기에 나섰고, 기업 고객은 여전히 기약 없는 기다림을 경험하고 있다. 그 돌풍의 중심에는 '반도체'가 있다. 산업이 고도화할수록 반도체는 점차 모든 영역에서 심장으로 활용되고 있다. 이런 배경에서 산업 기술 수준과 반도체 분야 기술력은 비례한다. 전문가들은 반도체 이슈를 극복하는 것이 기술 진화의 다음 단계 진출 계기가 될 것이라 목소리를 높였다. 교보증권은 지난 5월에 발표한 '반도체 산업 리포트'에서 국내 반도체 산업 전망을 '불확실한 위기 속 기회(Anti-fragile)'로 정의했다. 우리나라 반도체 역사에서 불확실성 및 충격 상황을 성장으로 이끈 성공 사례를 들어, 현재 침체된 반도체 산업 위기 상황을 역이용해 도약 가능하다는 진단이다. 보고서는 특히 상대적으로 늦게 진입한 국내 비메모리 반도체 사업의 비전과 잠재력을 높게 평가했다. 현재 약 700조 원 규모 전체 세
온세미는 실리콘 카바이드 연구를 활성화하기 위해 미국 펜실베이니아 주립대학교와 800만 달러 규모의 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다. 이번 협력을 통해 펜실베이니아 주립대 재료 연구 기관(Materials Research Institute, MRI)에 온세미 실리콘 카바이드 크리스탈 센터(onsemi Silicon Carbide Crystal Center, 이하 SiC3)가 설립된다. 온세미는 향후 10년간 매년 80만 달러의 자금을 SiC3에 지원할 예정이다. 실리콘 카바이드(SiC)는 전기차(EV), 전기차 충전 및 에너지 인프라의 효율성을 높이는 데 필수적이며 세계 경제의 탈탄소화에 기여한다. 1990년대 후반과 2000년대 초반에 SiC에 대한 학술 연구가 크게 발전했지만, 이후 미국에서는 그 규모가 줄었다. 이번 협약을 통해 미국 내 SiC 결정 연구가 다시 활성화될 것으로 기대된다. 펜실베이니아 주립대와 온세미는 SiC3에서 SiC 연구 수행 외에도 반도체 산업에서 기술 일자리의 수요 증가에 대한 인식을 높인다. 이는 미국 반도체 제조 점유율을 높이기 위한 노력의 일환이다. 또한 인턴십 및 협력 프로그램과 같은 인력
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