[헬로티]
접합부-케이스 열저항 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합해
▲Teledyne e2v HiRel이 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종을 출시했다. (출처 : Teledyne e2v HiRe)
Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 내구성이 강화된) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다고 7일 밝혔다.
새로운 고전력 HEMT인 TDG650E30B와 TDG650E15B는 2020년 선보인 650V HEMT(60A)보다 낮은 30A, 15A의 전류 성능을 갖고 있다.
650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 갖고 있는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성이 요구되는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 적합한 제품이다.
TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘FOM 아일랜드 기술(Island Technology)’ 다이가 적용됐으며 저인덕턴스 GaNPX 패키지로 구성됐다. Teledyne e2v HiRel 측은 최대 100MHz의 고주파 스위칭, 빠르고 제어 가능한 폴/라이즈 타임, 역전류 기능 등이 제품의 강점이라고 설명했다.
몬트 테일러(Mont Taylor) Teledyne e2v HiRel 사업개발부 부사장은 “고도의 신뢰성을 요구하는 애플리케이션용으로 적합한 650V 고전력 GaN HEMT 제품을 새로 선보이게 돼 기쁘다”며 “더 작은 패키지로 구성한 신형 HEMT는 전력 밀도가 높은 프로젝트를 설계하는 고객들에게 큰 도움이 될 것”이라고 말했다.
TDG650E15B와 TDG650E30B는 높은 절연파괴 전압·전류와 고주파 스위칭을 감안해 인핸스먼트(enhancement) 방식으로 구성한 GaN-on-Silicon 전력 트랜지스터로서 접합부-케이스 열저항이 매우 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합할 것으로 보인다.
전력 변환에 일대 혁신을 일으킨 GaN HEMT는 현재 방사성 내성을 강화한 플라스틱 캡슐 패키지로 나오고 있다. Teledyne 측은 새로운 GaN HEMT가 중요한 항공우주 및 방위 전력 애플리케이션에 적합한 효율성과 크기, 전력 밀도를 고객에게 제공한다고 밝혔다..
Teledyne e2v HiRel은 전력 기기의 경우 유황 검사, 고도 시뮬레이션, 다이나믹 번인(burn-in) 및 최대 175°C의 스텝 스트레스(step stress) 시험, 9V 게이트 전압 및 전온도 시험 등의 엄격한 검증·검사를 진행한다. Teledyne e2v HiRel의 새로운 GaN HEMT 2종은 여타 SiC 기기와 달리 병렬 이행이 용이해 부하 전류를 높이거나 유효 온저항(RDSon)을 낮출 수 있을 것으로 보인다.
