전기차, 5G, IoT 등에서 전력 손실 줄여줘
[헬로티 = 김동원 기자] 엘리먼트14가 넥스페리아(Nexperia)의 전력 GaN FET 제품군을 출시한다고 밝혔다.
GaN FET 제품은 소형 폼팩터에서 밀도를 개선하고 전력 사용 효율을 높여 더 낮은 비용으로 효율적인 시스템 개발을 가능하게 돕는다.
전기차, 5G, IoT 등 다양한 분야에서 전력 성능을 개선할 수 있다.
최근 이산화탄소 배출 감축의 필요성이 높아지며 효율적인 전력에 대한 관심이 높아졌다. GaN FET 제품은 전력 사용 효율을 높여 설계 엔지니어에게 실질적 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 보인다.
GaN 기술은 전력 변환 애플리케이션 전 제품군에 직·간접적인 성능상의 이점을 제공하기 위해 실리콘 기반 IGBT 및 SiC 등 기존 기술의 많은 한계를 극복했다.
전기차의 경우 GaN 기술은 차량 제품군에 영향을 미치는 전력 손실을 직접적으로 감소시킨다.
효율적인 전력 변환으로 인해 냉각 장치를 작동해 열을 식힐 필요가 없고, 차량 중량과 시스템 복잡성을 줄임으로써 더 작은 배터리를 이용하면서도 주행 거리가 종전과 같거나 더 길어진다.
또한 전력 GaN FET는 데이터 센터 애플리케이션, 통신 인프라, 산업 애플리케이션에서도 유리하다.
GaN FET는 AC-DC 토템 폴 PFC 애플리케이션을 위한 하드 스위칭, 소프트 스위칭 애플리케이션을 위한 LLC 위상 변이 풀-브릿지(공명 또는 고정 주파수), 모든 DC-AC 인버터 토폴로지, 양방향 스위치를 사용하는 AC-AC 매트릭스 컨버터 등의 솔루션에서 우수한 성능을 구현한다.
리 터너(Lee Turner) 엘리먼트14 반도체 및 SBC 글로벌 헤드는 “Nexperia는 혁신적인 반도체 제품으로 이루어진 광범위한 포트폴리오로 유명하다”며 “엘리먼트14 제품군에 전력 GaN FET를 추가해 고객 분들께 더 많은 지원을 할 수 있게 되어 매우 기쁘다. GaN 기술은 효율적인 첨단 전력 설계 기술이며, 이러한 새로운 제품은 미래에 혁신적 IoT, 자동차, 통신 설계의 핵심 요소가 될 것이다”라고 밝혔다.
