인피니언, 전력 밀도 항상시키는 'TDI 게이트 드라이버 IC' 출시

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[첨단 헬로티]

SMPS에서 전력 MOSFET을 턴온, 턴오프 할 때마다 기생 인덕턴스가 영전위 이상을 일으켜서 게이트 드라이버 IC를 잘못 트리거 할 수 있다. 이러한 문제를 방지하도록 인피니언 테크놀로지스는 비용 효율적이고 컴팩트한 EiceDRIVER 1EDN TDI(Truly Differential Inputs, 완전 차동 입력) 1채널 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다.

새로운 디바이스 1EDN7550U는 초소형 (1.5mm x 1.1mm x 0.39mm) 6핀 리드리스 TSNP 패키지로 제공된다. 인피니언의 TDI 게이트 드라이버 IC는 고전력밀도, 고효율 디자인의 핵심으로 경쟁 솔루션 대비 시스템 비용을 낮춘다.

TSNP 패키지 (1EDN7550U)는 SOT-23 제품 대비 5배 더 작은 PCB 면적을 차지한다. EiceDRIVER 1EDN TDI는 애플리케이션 레벨에서 3.3V PWM 입력 신호로 최대 ±70V의 정적 영전위 이상과 ±150Vpeak의 순간적인 영전위 이상을 견딜 수 있다.

초소형 크기와 영전위 이상 견고성을 결합함으로써 이 게이트 드라이버 IC 2개를 48V 하프 브리지 구성으로 작동할 수 있다. 설계자들은 PCB 레이아웃 적합한 위치에 이들 게이트 드라이버 IC를 자유롭게 배치해서 업계 최고의 전력 밀도를 달성할 수 있다.

리드리스 TSNP 패키지의 EiceDRIVER 1EDN7550U를 사용해 25V 및 40V OptiMOS MOSFET을 스위치드 커패시터 토폴로지에서 1.2MHz 스위칭 주파수로 작동할 수 있다. 이러한 애플리케이션에서 3060W/in3의 높은 전력 밀도와 97.1% 피크 효율(보조 손실 포함)을 달성한다.

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