[헬로티]

반도체 및 고급 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션용 웨이퍼 처리 솔루션 기업인 ACM 리서치(이하 ACM)가 3D 실리콘 관통 전극(Through-Silicon Via, 이하 TSV) 기술을 위한 ‘울트라 ECP 3d’ 플랫폼을 발표했다. 울트라 ECP 3d 플랫폼은 Void나 Seam과 같은 결함을 남기지 않는 높은 성능의 구리(Cu) 전기 도금을 제공한다.

시장 조사 기관인 ‘모도 인텔리전스(Mordor Intelligence)’에 따르면, 3D TSV 장비 시장 규모는 2019 년에 28억 달러였으며, 이후 연평균 6.2%의 성장률을 기록하며 2025년에는 40억 달러 규모로 성장이 예상된다. TSV기술은 이미징, 메모리, 초소형 정밀 기계 기술(MEMS) 및 광전자 분야에 활용된다

ACM의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “디바이스의 소형화, AI 및 엣지 컴퓨팅 기술의 발전으로 인해 3D TSV시장이 성장하고 있으며, 이러한 기술들은 지속적인 칩셋 성능의 향상과 직접화를 요구하고 있기에 더 많은 산업에서 TSV기술을 채택하고 있다”고 말했다.

이어 데이비드 왕 CEO는 “고객사와의 협력을 통해 울트라 ECP 3d 플랫폼으로 고종횡비의 미세 구멍을 성공적으로 채울 수 있음을 입증했다. 또 이 장비는 적층 챔버 설계로 더 높은 처리속도를 제공하면서 더 적은 소모품을 사용하고 총 소유 비용을 낮출 뿐만 아니라 팹 공간 활용도를 높일 수 있도록 설계되었다”고 덧붙였다.

고종횡비 TSV에 대한 상향식 충전 중에 Cu 전해질은 내부에 기포가 없는 상태로 미세 구멍을 완전히 채울 수 있어야 하는데 이러한 공정을 가속화하기 위해 사전 습식 단계가 사용된다.

이러한 기술은 제조 공정에 있어 더 나은 수율과 더 큰 도금 효율성 및 더 높은 처리속도를 구현하는 데 기여하고 있다. 3D TSV 용 울트라 ECP 3D 플랫폼은 차지하는 면적이 2.20m × 3.60m × 2.90m (폭, 길이, 높이)에 불과하며, 사전 습식, 구리 도금 및 후 세정 기능이 통합된 10개 챔버의 300mm 장비이다.

ACM은 최근 중국 고객사에 첫번째 울트라 ECP 3d 장비를 납품했으며, 현재 3D TSV 및 2.5D 인터포저(Interposer) 구리 도금 기능을 검증 중이다.